Ученые в Сибири разработали новый метод диагностики дефектов микроэлектроники

Новосибирск. 29 мая. ИНТЕРФАКС — Специалисты Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН, Новосибирск) разработали новый оптический метод диагностики элементной базы микроэлектроники, сообщает пресс-служба института.

«Предложенный подход позволяет очень точно измерять (на уровне нескольких нанометров) механические деформации и дефекты в полупроводниковых структурах», — говорится в сообщении.

Ученые нашли способ сделать очень слабые световые сигналы намного ярче с помощью специальных «нанощелей» между металлами в полупроводнике, что позволяет увидеть изменения в структуре и дефекты даже в материалах, толщина которых составляет единицы атомов.

Чтобы применять метод, требуется атомно-силовой микроскоп, совмещенный со спектрометром комбинационного рассеяния света, а также подготовленные подложки.

Первые результаты, полученные с помощью нового подхода, связаны с исследованием графена: ученым удалось «увидеть» локальные деформированные области — складки, образующиеся при распределении одноатомного слоя графена поверх золотых нанодисков.

«В отличие от некоторых других диагностических методов, новый подход не повреждает образец, что особенно важно для деликатных наноматериалов. С другой стороны, метод подразумевает использование иглы атомно-силового микроскопа, которой можно контролируемо наноструктурировать материал — «вырезать» объекты нужной формы, или формировать рисунок на поверхности образца», — отмечает замдиректора ИФП СО РАН Александр Милехин.