Транзистор MMBFJ310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET)

39,60 ₽

Артикул: 5d9404ff1f75 Категория:

      Описание

      MMBFJ310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET) The MMBFJ310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.

      • 25VDC Drain-source voltage
      • 25VDC Gate-source voltage
      • 10mA Gate current

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыПолевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)

      Детали
      Бренд

      ON SEMICONDUCTOR
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      3 Вывода
      Стандарт Корпуса Транзистора

      sot-23
      Наименование

      MMBFJ310LT1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 24 мА, 60 мА